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Samsung fabricará memorias de 512 GB para móviles

La firma surcoreana comenzará la producción masiva de estos dispositivos que prometen marcar un parteaguas en las capacidades de almacenamiento electrónico.

(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)

¿Algunas veces has deseado tener la suficiente capacidad de almacenamiento en tu celular como para ya no preocuparte de estar depurando los archivos constantemente? Esto será pronto una realidad, ya que la firma surcoreana Samsung Electronics, anunció que comenzará la producción masiva de sus nuevas memorias Flash eUFS de 512 GB.



La noticia fue liberada por la compañía el pasado 5 de diciembre a través de su portal de Internet, donde detalló que su nueva gama de dispositivos eUFS (embedded Universal Flash Storage) implementará una tecnología V-NAND de 64 capas que además permitirá un acceso más rápido, lo que ha producido interesantes reacciones entre los fabricantes de dispositivos móviles como smartphones y tabletas.

De acuerdo a la compañía, las funciones de lectura y escritura serán secuenciales y alcanzarán niveles operativos de hasta 860 MB/s, con lo que virtualmente los usuarios experimentarán un aumento de velocidad, y todo esto sin modificar el espacio de la memoria, conservando el mismo tamaño de las anteriores tarjetas. Con esta nueva era de memorias de 512 Gb, será posible por ejemplo, almacenar más de 130 clips de video 4K Ultra HD con duración de 10 minutos cada uno.

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Las memorias Samsung eUFS con capacidad de 512 GB saldrán al mercado para el 2018.


"La nueva Samsung eUFS de 512 GB ofrece la mejor solución de almacenamiento integrado para smartphones premium de próxima generación, al superar las posibles limitaciones en el rendimiento del sistema que pueden ocurrir con el uso de tarjetas micro SD", dijo en el reporte de prensa, Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de k>Memory Sales & Marketing de Samsung Electronics. "Al asegurar un suministro estable y adelantado de almacenamiento avanzado embebido, Samsung está dando un gran paso hacia adelante al contribuir con lanzamientos oportunos de dispositivos móviles de próxima generación por parte de fabricantes móviles de todo el mundo".

Para operaciones aleatorias, las nuevas eUFS, alcanzan lecturas de hasta 42,000 IOPS y escrituras de hasta 40,000 IOPS, lo que representa 400 veces más velocidad en comparación con los apenas 100 IOPS que consiguen las tarjetas micro SD convencionales. Esta particularidad, también dotará de una ligereza en la navegación de Internet principalmente durante la descarga de contenido de alta resolución cuando se busca video y al mismo tiempo se descargan archivos varios.

Samsung recalcó que estas nuevas memorias representan los esfuerzos de su brazo encargado de investigación y desarrollo (I+D) para dar paso hacia una era donde el almacenamiento es de capital importancia y un elemento intrínseco de la evolución tecnológica, con lo cual se pueden diseñar sistemas electrónicos más potentes.

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