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Samsung inicia producción de primeras GDDR5 DRAM de 8 Gb

Después de haber validado los prototipos en laboratorio, Samsung dispuso producir masivamente sus nuevas memorias GDDR5 DRAM con tecnología de 20 nm.

(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)

A la puerta está la llegada de las primeras memorias GDDR5 DRAM de 8 Gb manufacturadas en procesos de 20 nanómetros, que a decir su fabricante, Samsung Electronics, brindarán mejor respuesta a sistemas de cómputo con necesidades de mayor potencia de gráficos.

Samsung inicia producción de primeras GDDR5 DRAM de 8 Gb

En su reporte Samsung anuncia la producción masiva de estos dispositivos discretos cuyo núcleo comercial está dirigido a consolas de videojuegos, computadoras portátiles y otros aparatos con procesamiento de gráficos, a los que les dotará presumiblemente de mayor ancho de banda, en una era que la firma define como un período dominado por sistemas de entretenimiento con formatos 3D y video UHD de alta definición.

“Esperamos que nuestras memorias GDDR5 de 8 Gb provean a los fabricantes de equipo original (OEMs) la mejor solución disponible en memorias gráficas para consolas de videojuegos y computadoras portátiles de uso general”, comentó Joo sun Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas de Memoria y Marketing de Samsung Electronics. “Al expandir nuestra producción de productos DRAM basados en 20 nm, incluyendo las nuevas GDDR5, contribuiremos al incremento global de las demandas comerciales y tomaremos ventaja de la aceleración del crecimiento del mercado Premium de memorias”, añadió el ejecutivo.

La nueva estructura de la memoria opera con un nivel de datos de 8 Gb por segundo por pin, lo que significa más de 4 veces la velocidad que una DDR3 DRAM registra comúnmente en aparatos como laptops.

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Samsung GDDR5 DRAM
Samsung producirá masivamente sus nuevas memorias GDDR5 DRAM de 8 Gb.

De acuerdo al informe corporativo, con solo 2 de los núcleos del chip se pueden crear 2 Gb de memoria gráfica y en conjunto pueden procesar hasta 64 Gb de imágenes por segundo. También equivale a unos 12 DVDs ‘full-HD’ (5 GB) por segundo.

La firma surcoreana ha afirmado que continuará con la transición de nuevos productos manufacturados en procesos de 20 nanómetros e inferiores, específicamente para el segmento de memorias de 4 Gb, 6 Gb y 8 Gb, aunque en su carrera enfrentará las soluciones de otros competidores como Micron, que también ha anunciado la adición a su portafolio de una gama de memorias GDDR5.

En este sentido Micron sostienen que su nueva tecnología GDDR5 SGRAM suministra una alternativa eficaz para cubrir las necesidades de más ancho de banda en sistemas con procesamiento de gráficos, debido al módulo que Micron denomina “Hybrid Memory Cube”. En el caso de los dispositivos GDDR5 de Micron ofrecen un rango operativo de 5 Gb por segundo y un bus de 32 bits.

Micron GDDR5
El fabricante Micron Technology también develó su nueva gama de memorias GDDR5 pero con menores capacidades en comparación con las de Samsung

En comparación con sus memorias previas como la DDR4-3200, las nuevas GDDR5 ofrecen 3 veces más ancho de banda, lo que a decir de Micron ayuda a reducir el factor BOM (Costos de Manufactura) de los fabricantes al decrecer los tiempos de desarrollo y otorgar un menor espacio en las PCBs.

De esta forma, tomando en cuenta las especificaciones técnicas de cada una de las propuestas de memorias GDDR5 que actualmente ofrecen los fabricantes más destacados de memorias como Samsung y Micron, la firma asiática es la que por ahora, ofrece mayores recursos en sus nuevas memorias.

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