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Tag Archives: dopaje de substrato

GaN dopado con Berilio será el nuevo substrato para la electrónica

La siguiente generación de semiconductores de potencia estará manufacturada con una base de Nitruro de Galio (GaN) dopada con Berilio, lo que incrementará considerablemente el rendimiento de los sistemas, afirman científicos finlandeses. (ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas) Durante décadas, la industria ha hecho lo sumamente posible para dar con el …

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