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CEA-Leti destapa arquitecturas RF para 6G

La firma francesa de chips dio a conocer sus arquitecturas primarias para la futura tecnología 6G, dentro de la banda-D del espectro que cubre frecuencias de entre 110 GHz y 170 GHz.

ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas

El reconocido Instituto Tecnológico de Investigación (CEA-Leti) localizado en Grenoble (Francia), presentó sus primeros prototipos de chips para la banda-D del espectro de radiofrecuencia para la futura tecnología 6G de telecomunicaciones.

 

En un comunicado de prensa, el CEA-Leti explica que como parte de las pruebas técnicas llevadas a cabo por los científicos que participaron en el proyecto, lograron documentar transmisiones de hasta 140 GHz y 100 Gbps utilizando una arquitectura RF de señales mixtas, esto como parte de sus investigaciones en el campo de la banda-D dentro del espectro de la llamada tecnología 6G que presumiblemente cubrirá rangos de entre 110 GHz y 170 GHz.

“Se espera que la comunicación inalámbrica en bandas de ondas milimétricas (mmWave), que van de 20 GHz a 300 GHz, sea una tecnología clave para los sistemas inalámbricos del 6G, porque el enorme ancho de banda disponible puede dar cabida a comunicaciones de altísima velocidad de datos”, menciona el CEA-Leti. “Dentro de ese rango de bandas de ondas mmWave, la investigación gira en torno a la banda-D, un nuevo espectro de 140 GHz que puede desempeñar un papel importante para la comunicación inalámbrica 6G”.

La publicación de su trabajo estaba considerada comenzar formalmente con la participación de una conferencia en el congreso 6G Wireless Summit, evento que fue cancelado el pasado mes de marzo debido a la crisis sanitaria por el Covid-19, donde científicos del CEA-Leti y de Siradel -esta última una compañía francesa dedicada al diseño de hardware para comunicaciones inalámbricas- presentarían un disertación sobre los avances en su proyecto.

Diagrama de bloque del chip 6G. (Imágenes: CEA-Leti).

 

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Los expertos también expondrían en este congreso mayores detalles sobre las capacidades de conexión (‘Backhaul’) de alta velocidad, oportunidades para el diseño de nuevos productos como quioscos o spots con multi transmisión de comunicaciones a corto alcance entre dispositivos, requisitos de transferencia de datos para las futuras aplicaciones, estipulación de buses para soportar rangos superiores a los 100 Gbps por celda o por enlace, y las ventajas de que estos sistemas presumiblemente no se verán afectados por las limitaciones impuestas por las frecuencias sub THz.

Los científicos franceses también hablan sobre los desafíos que habrán de emerger “más allá del 5G” principalmente con el uso y despliegue de la llamada banda-D, como podrían ser pérdidas en la propagación de ondas que tenderán a incrementar con el cuadrado de la frecuencia y que deberán ser compensadas con antenas de alta ganancia.

De acuerdo a sus desarrolladores, las pruebas documentadas demuestran la capacidad de transmisión del circuito dentro de la banda-D del espectro de radiofrecuencia.

 

El artículo donde explican a detalle todos estos aspectos está titulado “Technology Roadmap for Beyond 5G Wireless Connectivity in D-band”, donde además reconocen las limitaciones del Silicio para soportar la efectividad de las siguientes generaciones de comunicaciones.

"Con CMOS, todavía podemos diseñar conjuntos de chips para la parte baja de la banda D, pero hoy en día estamos en el límite de lo que CMOS puede entregar en estas frecuencias", explicó Jean-Baptiste Doré, científico del CEA-Leti, quien puntualizó que la industria debería trabajar desde ahora para diseñar arquitecturas electrónicas que no sean basadas en Semiconductores de Óxido-Metal Complementarios (CMOS) ya que dijo, con esta tecnología es imposible desarrollar dispositivos con transistores capaces de ofrecer la frecuencia requerida para la banda-D del espectro de radiofrecuencia.

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