Thursday , November 14 2019

Suscribete gratis a nuestro boletin semanal

VISIONA . DESARROLLADORES . CONECTADOS .

Suscribete nuestro boletin semanal

PATROCINADORES
Home / Diseño Analógico / A los ICs ya se les puede tomar radiografías con rayos X

A los ICs ya se les puede tomar radiografías con rayos X

Esta nueva técnica permitirá mapear en 3D la estructura interna de los chips tal y como lo hace una ecografía sobre un órgano humano, afirman sus creadores.

(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)

Cuando en 1895 el ingeniero y físico alemán Wilhelm Röntgen, descubrió los rayos X durante una serie fortuita de experimentos con los rayos catódicos, nunca se imaginó que su descubrimiento desencadenaría una serie de avances en la medicina, y que se convertiría en una herramienta salvadora de vidas.

Los rayos X permiten revelar las estructuras más densas del cuerpo como son los huesos en una escala de grises, otorgando una imagen clara de la composición y estado de una fractura sin necesidad de abrir quirúrgicamente al paciente, sin embargo, esta idea fue tomada por investigadores suizos del Instituto Paul Scherrer, quienes han dado a conocer un nuevo método para obtener literalmente una radiografía de los circuitos integrados, permitiendo crear un mapeo tridimensional de las capas internas de los chips.

En el informe creado por el laboratorio, los científicos liderados por el Dr. Mirko Holler especialista del área de Radiación Sincrotrónica y Nanotecnología, publicaron los resultados de su trabajo final en el que utilizaron para fines de pruebas un procesador Intel G3260, del cual obtuvieron un mapeo 3D de sus capas de cobre y las interconexiones a nivel de transistores haciendo uso de pulsos de rayos X, algo de lo cual no se tiene precedentes.

El trabajo que ha sido publicado en diferentes medios especializados como Nature Journal, contiene información detallada sobre los resultados de las pruebas con el chip de Intel, cuya estructura de 45 nanómetros integra arreglos de transistores con una altura de solo 34 nm, mismos que presumiblemente fueron capturados sin distorsiones ni deformaciones.

- PUBLICIDAD -
Con la nueva técnica basada en rayos X, ahora es posible conocer la composición en buena resolución de las entrañas de los circuitos electrónicos.
   

Para los investigadores suizos este logro representa un gran avance para la industria de manufactura electrónica y de semiconductores, toda vez que incluso para los mismos fabricantes propietarios de micro arquitecturas electrónicas el contar con una herramienta que ofrezca una radiografía nanométrica de sus productos, les permitirá recortar sus ciclos de diseño y lanzamiento de nuevos componentes, asimismo les ayudará en tareas de ingeniería de inversa.

“La resolución de la imagen que obtuvimos es comparable con los resultados conseguidos mediante el método convencional de escaneo FIB/SEM (escaneo por microscopía electrónica de barrido)”, explicó Mirko Holler. “Pero además, fuimos capaces de evitar dos desventajas considerables: primeramente, la muestra permaneció intacta, sin daños, y conseguimos información completa sobre la estructura tridimensional. Segundo, impedimos las distorsiones de las imágenes que a menudo aparecen con el método FIB/SEM en las superficies, ya que las estructuras no son exactamente planas”, comentó.

Los investigadores Mirko Holler (derecha) y Manuel Guizar-Sicairos son autores del artículo científico del proyecto.
   

Esta tecnología basada en rayos X ofrece la mejor resolución de hasta 15 nanómetros en muestreos por foto-exposición radial, aunque aclaran que la examinación de todo el chip no es posible con el método desarrollado y será cuestión de tiempo para robustecer el sistema con el fin de que otorgue un mapeo de toda la estructura del IC con un solo escaneo.

“Actualmente estamos comenzando a extender el método de tal forma que pueda ser utilizado para examinar microchips enteros dentro de un tiempo aceptable de medición. Pero una vez refinado, esto permitirá estudiar la misma área de un chip múltiples veces, por ejemplo, para observar cómo cambia o se comporta ante diferentes influencias externas”, explicó Gabriel Aeppli, miembro del equipo de desarrollo.

Representación 3D de una estructura interna de 45 nm de un chip de Intel utilizando la técnica desarrollada por los ingenieros suizos. (Imágenes: Paul Scherrer Institute).
   

Cabe mencionar que la ingeniería de inversa es un recurso que en los últimos años ha ido adoptándose cada vez más en la industria tecnológica con el fin de averiguar cómo está conformada la estructura interna de los dispositivos electrónicos más formidables diseñados, incluyendo microprocesadores, sensores, y una gran variedad de semiconductores, y no solo para fines de reproducción o comparación, también para crear nuevos modelos de evaluación para las fases de validación y pruebas de nuevos componentes que permitan perfeccionarlos y detectar fallas o vulnerabilidades prematuras, así que esta tecnología brindará de nuevos recursos técnicos para facilitar el trabajo de diseño, desarrollo y refinamiento de hardware.

- PUBLICIDAD -

Revisa también ...

Correo suspende entrega con drones tras incidentes

Las autoridades suizas decidieron detener toda actividad de entrega con vehículos aéreos no tripulados luego …

Leave a Reply

Your email address will not be published.