Existe un recurso desaprovechado por los ingenieros en el desarrollo de circuitos. Se trata de los subumbrales del MOSFET. En este artículo se indica la ventaja de explotar las fugas de corriente y convertirlas en energía utilizable.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
El ingeniero fundador de la empresa Advanced Linear Devices Inc., y maestro en ciencias eléctricas, Robert L. Chao, compartió un artículo en donde explica las ventajas de sacar todo el provecho de los sub-umbrales de MOSFET en el diseño de circuitos (ICs) analógicos.
En el sitio de noticias por Internet de la firma se vierte un artículo en el que se explica cómo es que al aplicar MOSFET (Transistores de Efecto Campo) se generan reacciones sub-umbrales de estos pequeños dispositivos que regularmente registran fugas de corriente, mismas que pueden ser controladas para su posterior utilización en los sistemas a manera de nanopotencia.
“Las características de los subumbrales de voltaje de los dispositivos MOSFET te permiten aprovechar este voltaje y usarlo en la región de nanopotencia”, indica Chao en su artículo. “Al trabajar con las regiones subumbrales es obligatorio desatorar los beneficios de la nano-potencia e innovar en recolección de energía así como en otros muchos campos”, dijo.
El especialista y empresario indica que una de las ventajas al operar en modo subumbral, es la habilidad de generar niveles bajos de corriente entre la fuente y el sistema drenador, de esta manera se crea una resistencia de alto valor.
Chao tiene a bien aclarar que la nanopotencia no es una “panacea” de algunos conflictos inherentes a los sistemas analógicos en términos de energía, ya que involucra menos corriente para funcionar y requiere de una sensibilidad precisa, y en este sentido se deben tomar en cuenta diversas maneras de fugas de energía en los circuitos electrónicos que tienden a ser inusuales.
A medida que las investigaciones maduran en la industria electrónica, específicamente para beneficio del segmento de sistemas de potencia, esta manera de pensar está cambiando en la mente de muchos ingenieros cómo reaccionan los sistemas analógicos ante el uso de los sub-umbrales de MOSFET y que su adecuada aplicación podría contribuir a innovar en el perfil energético de los sistemas finales.
De acuerdo a Chao, en caso de que los ingenieros diseñadores decidan utilizar esta propuesta (el aprovechar las fugas de energía y transformarlas en nanopotencia), las ventajas que hallarán serán varias y abrirán un abanico de posibilidades para la usabilidad y reproducción de circuitos analógicos.
En este segmento del diseño electrónico se ha descubierto un potencial en un fenómeno físico que pasó desapercibido por varios años. Se trata de la fuga de energía o corriente en los circuitos electrónicos, la cual puede ser aprovechada y re-administrada para fines específicos del sistema en construcción, o bien para elevar la eficiencia del sistema.
A manera de ejemplo, el documento expone la expansión aplicativa de los campos de radiofrecuencia (RF) en donde la recolección de energía (harvesting energy) del medio ambiente ha comenzado a ser identificado para alimentar pequeños circuitos de manera independiente, prolongando así la carga de la batería si se trata de dispositivos portátiles y beneficiando otras operaciones de nanopotencia en los circuitos internos.
“Los ingenieros tienen todavía que sacarle el potencial a esta tecnología”, no obstante, debido a ciertas limitaciones como administración, almacenamiento y distribución de esta micro energía.”, agrega el documento. “La habilidad para almacenar la energía con el mínimo de fugas es factor clave para continuar perfeccionando estas aplicaciones en esta área”.
El artículo expone que a menudo los ingenieros consideran que un dispositivo tiende a apagarse cuando la corriente se reduce por debajo del voltaje de la compuerta del umbral. El voltaje de la compuerta del umbral es definido el voltaje de una compuerta en donde una capa de inversión se forma en la interface entre la capa aislante de óxido y el sustrato del transistor.
“Por ejemplo, ellos (los ingenieros) podrían considerar inutilizable cualquier corriente menor a 1 V de la compuerta del umbral.”, refiere Chao. “Históricamente ha sido difícil controlar esta fuga de corriente debajo del voltaje del umbral, o bien la fuga de corriente del subumbral dentro de un cierto rango.”, subrayó.
Para entender las limitaciones de esta causa en los circuitos analógicos, el maestro en ciencias dispuso de un ejemplo claro aplicable al desarrollo de sistemas con nanopotencia, en donde un dispositivo MOSFET o cualquier otro sistema que registra caídas de voltaje por debajo del voltaje de su compuerta del umbral. Esta fase es importante pues cualquier voltaje restante menor al voltaje de la compuerta del umbral es conocido en el dispositivo como una región subumbral, no obstante la corriente disminuye exponencialmente cuando existe una caída relativamente mínima de 1 a 0.9 V.
Los diseñadores pueden referirse a esta caída de 100mV/Década para cada 0.1V, también caídas por 10 veces o magnitud de orden.
En vista del criterio del especialista, la corriente del subumbral como una función del voltaje del subumbral puede ser de aproximadamente 110 mV/década de corriente y desde 1 µA hasta 10 pA. Del mismo modo, para un voltaje de subumbral, VGSTH es de 0.5V, cuando el voltaje de compuerta- a-fuente (VGS) es 0.5V y la corriente drenadora (ID) es de 1 µA.
Para reforzar el entendimiento del comportamiento subumbral en los sistemas analógicos y sus caídas regionales, en la siguiente figura se muestra la variación registrada cuando el Vgs es de 0.4V, por lo que el ID se reduce de 1 µA to 150 nA. Por otro lado si el Vgs decrece por 10mV a 0.3 V, el ID continúa descendiendo por aproximadamente otro orden de magnitud: 20 nA.
Cuando el Vgs está vinculado al potencial de tierra ó 0V, el ID se define en alrededor de 0.03 nA y en base con el documento proporcionado por Linear Advanced, para muchas aplicaciones el potencial de tierra no representa la única referencia de voltaje, sino que además es precisa.
“Por consiguiente, un dispositivo MOSFET con un Vgs de exactamente 0.5 V tiene una fuente drenadora de corriente de 0.03 nA cuando si compuerta es aterrizada. Cuando el voltaje de la compuerta se baja hasta los 0V, la corriente ha decrecido cerca de 30,000 veces por debajo del umbral. Por eso resulta fácil imaginar porqué los ingenieros lo considerarían apagado”, indica textualmente Chao.
Cuando los ingenieros aplican esta habilidad técnica para operar esta clase de circuitos en condiciones de nanopotencia dentro de las regiones sub-umbrales, se puede conseguir la prolongación de la vida de la batería al preservar la energía almacenada en modo de inactividad o ‘ ‘sleep mode’ y esto a su vez deriva en el incremento de elementos de seguridad.
En el este esquemático se muestra un circuito acondicionado con un perfil de nanopotencia con pares MOSFET que se conectan como pares diferenciales. Los voltajes del umbral de dos dispositivos MOSFET emparentan de tal manera que se puede optar por el modo de sub-umbral y el ingeniero puede utilizar uno de esos dispositivos como material de referencia y el otro para propósitos de comparación.
El documento presentado por Robert L Chao, incorpora material relativo al diseño de los mismos circuitos analógicos utilizando la técnica de nanopotencia con regiones su-bumbrales.
Menciona que durante la etapa de diseño, si el mismo proyecto en desarrollo no requiere de una corriente su-bumbral, la corriente se convierte en una fuga de corriente parasitaria que disipa la energía para el circuito sin propósito alguno. Esta fuga parasitaria se combina con otras tipos de fuga de corriente como las de compuerta de óxido, fuga a nivel de la superficie de encapsulado y corrientes en la tarjeta de circuito impreso, lo que a la postre aumentan las limitaciones en la administración energética de los sistemas electrónicos.
En el peor de los casos, en muchas ocasiones, esas fugas de corriente son responsables de la contaminación de productos y la imperfección de materiales de fabricación durante la manufactura de los sistemas.
Algo que sin lugar a dudas se debe tomar en cuenta si como diseñadores de sistemas, objetamos como elemento en nuestro anteproyecto el aumento de la eficiencia energética de los sistemas y por supuesto la eliminación de recursos promotores de contaminación o desperfectos.























































