Científicos argentinos desarrollaron memorias no-volátiles capaces de resistir ambientes hostiles de temperatura. Los investigadores aseguran la efectividad de esta tecnología en satélites, vehículos espaciales, reactores nucleares y fosas volcánicas.
(ElectronicosOnline.com Magazine / Oswaldo Barajas)
Investigadores del Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (CONICET) de Argentina, presentaron el prototipo final de una memoria no-volátiles diseñada para resistir ambientes de extrema temperatura.
Se trata del proyecto MeMOSat, el cual fue iniciado por un grupo de científicos de diferentes universidades y centros tecnológicos de Argentina, y que consiste en innovar en el segmento de memorias resistivas con una tecnología capaz de soportar entornos hostiles, además con un margen miniaturizado y destacable velocidad para ser integradas en sistemas de alta rudeza como el aeroespacial, para el desarrollo de satélites, vehículos espaciales, reactores nucleares y fosas volcánicas, por mencionar algunos.
De acuerdo al reporte de prensa, desde que se comenzó con el proyecto en 2009, la consigna principal del grupo científico fue el de generar dispositivos de almacenamiento más resistentes que las actuales tecnologías en el mercado, y siguiendo el mismo proceso de manufactura a base de Silicio, con lo cual los ingenieros fueron capaces de materializar su idea.
La composición tecnológica de las memorias consiste en el uso de óxido y metales en capas que llegan a contar con un espesor de 100 nanómetros (la diezmillonésima parte de un metro).
Debido al proceso con el que están manufacturados los dispositivos, es posible que los chips soporten altas dosis de radiación ionizante o temperaturas extremas sin que haya pérdida de datos o se eleve el consumo de energía.
El comunicado señala que las memorias tipo ReRAM fueron fabricadas utilizando óxido de Titanio en los laboratorios del INTI (Instituto Nacional de Tecnología Industrial) y en el CAC-CNEA (Centro Atómico Constituyentes) a cargo del doctorando Néstor Ghenzi.
No obstante, lo que más resalta en el reporte, es la manera en cómo las intersecciones entre los contactos metálicos de su estructura interna definen cada bit de memoria, ya que se logran observar 100 bits crecidos sobre un sustrato cuadrado de 3 cm de lado.
Hasta el momento, el dispositivo más pequeño creado por el grupo de investigadores posee una dimensión similar a lo que registraría la marca de un alfiler sobre una hoja de papel, pero esto parece ser insatisfactorio según el criterio de sus creadores, quienes han precisado que sus intenciones son reducir más las dimensiones laterales a fin de encapsular más memorias en un tamaño más pequeño.
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El Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas de Argentina, ha sido factor importante en el desarrollo de esta tecnología. |
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Memorias ReRAM, la tecnología clave de esta innovación
Es importante aclarar que la tecnología ReRAM (Resistive Read Aleatory Memories) no solo ha sido gestada en territorio argentino y presentada en los últimos meses como novedad. Diversas universidades alrededor del mundo han enfocado sus esfuerzos para la materialización de estos dispositivos como lo hizo el University College London, que en el mes de mayo del 2012 dio a conocer el diseño de memorias ReRAM nombrándolo en su momento como “un asombroso descubrimiento”, el cual prometía hacer obsoletas a las actuales memorias Flash encontradas en celulares, tabletas y dispositivos de almacenamiento USB.
Además, el aspecto que llama la atención de esta tecnología, es que ni los científicos del CONICET, ni los académicos de la University College London, son los únicos en esta novedad, pues diversas compañías como ScanDisk, Toshiba y HP, por mencionar algunos, también han develado sus memorias ReRAM, cada una con su respectivo sello distintivo y alguno que otro recurso adicional que lo diferencia ligeramente de las demás, no obstante, es aplaudible en la noticia del CONICET de Argentina que los investigadores de América Latina estén haciendo acto de presencia en la comunidad científica global con innovaciones trascendentes a la par de otras entidades reconocidas a nivel internacional.
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Las memorias Resistivas (ReRAM) han sido buscadas por fabricantes de dispositivos semiconductores debido a que son consideradas las sucesoras de las memorias Flash. |
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Y esto no ha sido solamente identificado por otros medios extranjeros, sino que la prensa argentina dio espacio editorial en su momento para difundir las labores de sus científicos nacionales. Por ejemplo, el desarrollo de estas memorias electrónicas ReRAM por parte de los ingenieros del CONICET de Argentina, fue divulgada por diarios como El Clarín, que en 2010 reveló el galardón que consiguió el proyecto NeMOSat por parte de la compañía DuPont, en términos de innovación tecnológica.
Además, los investigadores argentinos han destacado que su propuesta está reforzada con elementos que hacen de sus memorias más resistentes a temperaturas más extremas en comparación con otras tecnologías ReRAM diseñadas últimamente por otras empresas o universidades.
Características de la tecnología ReRAM
- Presuntamente 100 veces más rápida que las memorias Flash.
- Hasta mil veces más eficiente que las memorias convencionales no volátiles.
- Es más durable.
- Más económica debido a que su estructura está basada en Silicio.
- Mayor capacidad en el mismo espacio de una memoria convencional.
- Se pueden manufacturar memorias ReRAM transparentes como el cristal.













